Infineon Technologies CY7C1350G-133AXC

工厂交货时间

1 Week

包装/外壳

TQFP-100

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

100

供应商器件包装

100-TQFP (14x20)

终端数量

100

RoHS

Details

Maximum Clock Frequency

133 MHz

Interface Type

Parallel

Supply Voltage-Min

3.135 V

Minimum Operating Temperature

0 C

Maximum Operating Temperature

+ 70 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Memory Types

Volatile

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

360

Unit Weight

0.023175 oz

Mounting

表面贴装

Maximum Operating Supply Voltage

3.6 V

Number of I/O Lines

36 Bit

Number of Words

128 kWords

Timing Type

Synchronous

Minimum Operating Supply Voltage

3.135 V

Typical Operating Supply Voltage

3.3000 V

Data Rate Architecture

SDR

Supplier Package

TQFP

Maximum Clock Rate

133 MHz

Package

Tray

Base Product Number

CY7C1350

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Supply Voltage-Max

3.6 V

Package Description

LQFP, QFP100,.63X.87

Package Style

FLATPACK, LOW PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

128000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

QFP100,.63X.87

Reflow Temperature-Max (s)

40

Access Time-Max

4 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CY7C1350G-133AXC

Clock Frequency-Max (fCLK)

133 MHz

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

LQFP

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

1.97

Part Package Code

QFP

Usage Level

Commercial grade

包装

Tray

系列

CY7C1350G

操作温度

0 to 70 °C

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.A

类型

Synchronous

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

流水线结构

HTS代码

8542.32.00.41

技术

SRAM - Synchronous, SDR

电压 - 供电

3.135V ~ 3.6V

端子位置

QUAD

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

250

功能数量

1

端子间距

0.65 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PQFP-G100

资历状况

不合格

电源

2.5/3.3,3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

内存大小

4.5 Mbit

端口的数量

4

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

133 MHz

电源电流-最大值

225 mA

访问时间

4 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

建筑学

Pipelined

组织结构

128 k x 36

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.6 mm

内存宽度

36

写入周期时间 - 字符、页面

-

地址总线宽度

17 Bit

密度

4 Mb

待机电流-最大值

0.04 A

记忆密度

4718592 bit

筛选水平

Commercial

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

ZBT SRAM

待机电压-最小值

3.14 V

电压 - 供电 （最大值）

3.6 V

电压 - 供电 （最小值）

3.135 V

组织的记忆

128K x 36

宽度

14 mm

长度

20 mm