Infineon Technologies CY7C1354D-200BZC
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CY7C1354D-200BZC
1211-CY7C1354D-200BZC
存储器
FBGA-165
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SRAM 9Mb, 200Mhz, 3.3V 256K x 36 SRAM
1最小包装量--
CY7C1354D-200BZC详情
Infineon Technologies CY7C1354D-200BZC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
FBGA-165
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
165-FBGA (13x15)
RoHS
N
Maximum Clock Frequency
200 MHz
Interface Type
Parallel
Supply Voltage-Min
3.135 V
Minimum Operating Temperature
0 C
Maximum Operating Temperature
+ 70 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Memory Types
Volatile
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
136
Tradename
NoBL
Maximum Clock Rate
200 MHz
Supplier Package
FBGA
Typical Operating Supply Voltage
3.3000 V
Minimum Operating Supply Voltage
3.135 V
Timing Type
Synchronous
Number of Words
256 kWords
Mounting
表面贴装
Maximum Operating Supply Voltage
3.6 V
Number of I/O Lines
36 Bit
Package
Tray
Base Product Number
CY7C1354
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Supply Voltage-Max
3.6 V
Usage Level
Commercial grade
包装
Tray
系列
CY7C1354
操作温度
0 to 70 °C
类型
Synchronous
技术
SRAM - Synchronous, SDR
电压 - 供电
2.4V ~ 2.6V
引脚数量
165
内存大小
9 Mbit
端口的数量
1
时钟频率
200 MHz
电源电流-最大值
220 mA
访问时间
3.2 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
建筑学
Pipelined
组织结构
256 k x 36
写入周期时间 - 字符、页面
-
地址总线宽度
18 Bit
密度
9 Mb
筛选水平
Commercial
组织的记忆
256K x 36
CY7C1354D-200BZC拓展信息
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