Infineon Technologies CY7C2564XV18-366BZXC
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CY7C2564XV18-366BZXC
1211-CY7C2564XV18-366BZXC
存储器
FBGA-165
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SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 366MHz QDR II SRAM
--最小包装量--
CY7C2564XV18-366BZXC详情
Infineon Technologies CY7C2564XV18-366BZXC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
FBGA-165
安装类型
表面贴装
引脚数
165
供应商器件包装
165-FBGA (13x15)
RoHS
Details
Maximum Clock Frequency
366 MHz
Interface Type
Parallel
Supply Voltage-Min
1.7 V
Minimum Operating Temperature
0 C
Maximum Operating Temperature
+ 70 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Memory Types
Volatile
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
680
Maximum Clock Rate
366 MHz
Typical Operating Supply Voltage
1.8000 V
Minimum Operating Supply Voltage
1.7 V
Number of I/O Lines
36 Bit
Maximum Operating Supply Voltage
1.9 V
Package
Tray
Base Product Number
CY7C2564
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Supply Voltage-Max
1.9 V
Usage Level
Commercial grade
包装
Tray
系列
CY7C2564XV18
操作温度
0 to 70 °C
类型
Synchronous
技术
SRAM - Synchronous, QDR II+
电压 - 供电
1.7V ~ 1.9V
内存大小
72 Mbit
时钟频率
366 MHz
电源电流-最大值
1.165 A
访问时间
450 ps
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
2 M x 36
写入周期时间 - 字符、页面
-
记忆密度
72
筛选水平
Commercial
组织的记忆
2M x 36
CY7C2564XV18-366BZXC拓展信息
Infineon
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