Infineon Technologies FM24CL64B-DG
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FM24CL64B-DG
1211-FM24CL64B-DG
存储器
TDFN-8
大陆
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F-RAM IIC FRAM 64K 3V
1最小包装量--
FM24CL64B-DG详情
Infineon Technologies FM24CL64B-DG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TDFN-8
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
供应商器件包装
8-DFN (4x4.5)
终端数量
8
RoHS
Details
Mounting Styles
SMD/SMT
Interface Type
I2C
Supply Voltage-Min
2.7 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1620
Unit Weight
0.001764 oz
Package
Tube
Base Product Number
FM24CL64
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Memory Types
Non-Volatile
Supply Voltage-Max
3.65 V
Package Description
HVSON, SOLCC8,.16,37
Package Style
SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
8000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
SOLCC8,.16,37
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
FM24CL64B-DG
Number of Words
8192 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
HVSON
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
活跃
Samacsys Description
F-RAM,8KB,I2C,1MHz,3V,DFN8
Ihs Manufacturer
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
0.82
Part Package Code
DFN
系列
FM24CL64B
包装
Tube
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8542.32.00.71
技术
FRAM (Ferroelectric RAM)
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.95 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-N8
资历状况
不合格
工作电源电压
2.7 V to 3.6 V
电源电压-最大值(Vsup)
3.65 V
电源
3/3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
内存大小
64 kbit
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
1 MHz
电源电流-最大值
0.0003 mA
访问时间
550 ns
内存格式
FRAM
内存接口
I²C
组织结构
8 k x 8
座位高度-最大
0.85 mm
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
-
待机电流-最大值
0.000006 A
记忆密度
65536 bit
内存IC类型
存储器电路
组织的记忆
8K x 8
宽度
4 mm
长度
4.5 mm
FM24CL64B-DG拓展信息
Infineon
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