Infineon Technologies IAUC100N04S6N022
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IAUC100N04S6N022
1211-IAUC100N04S6N022
无类别的
PG-TDSON-8
大陆
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N-Channel 40V 100A(Tc) 3V @ 32uA 2.26mΩ @ 50A, 10V 75W(Tc) PG-TDSON-8 MOSFET RoHS
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IAUC100N04S6N022详情
Infineon Technologies IAUC100N04S6N022重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
PG-TDSON-8
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.26mΩ @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 32uA
漏源电压 (Vdss)
40V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
100A Tc
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
75W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IAUC100N04S6N022拓展信息







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