Infineon Technologies IAUC120N04S6N013
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IAUC120N04S6N013
1211-IAUC120N04S6N013
无类别的
PG-TDSON-8
大陆
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N-Channel 40V 120A(Tc) 3V @ 60uA 1.34mΩ @60A,10V 115W(Tc) PG-TDSON-8 MOSFET RoHS
--最小包装量--
IAUC120N04S6N013详情
Infineon Technologies IAUC120N04S6N013重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-TDSON-8
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.34mΩ @60A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 60uA
漏源电压 (Vdss)
40V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
120A Tc
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
115W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IAUC120N04S6N013拓展信息







哦! 它是空的。