注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥15.118834
10
¥14.263052
100
¥13.455714
500
¥12.694065
1000
¥11.975534
Infineon Technologies IDB30E60ATMA1
- 收藏
- 对比
IDB30E60ATMA1
1211-IDB30E60ATMA1
二极管 - 整流器 - 单
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
立即发货

DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IDB30E60ATMA1详情
Infineon Technologies IDB30E60ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
175°C
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.10.00.80
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
50μA @ 600V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
2V @ 30A
工作温度 - 结点
-40°C~175°C
输出电流-最大值
52.3A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
600V
平均整流电流(Io)
52.3A DC
相位的数量
1
反向恢复时间
126ns
Rep Pk反向电压-最大值
600V
最大非代表Pk前进电流
117A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IDB30E60ATMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。