Infineon Technologies IDK12G65C5XTMA1
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IDK12G65C5XTMA1
1211-IDK12G65C5XTMA1
二极管 - 整流器 - 单
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Diode Schottky 650V 12A 2-Pin TO-263 T/R
1最小包装量--
IDK12G65C5XTMA1详情
Infineon Technologies IDK12G65C5XTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
2
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
104W
包装
Tape & Reel (TR)
系列
CoolSiC™+
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
应用
EFFICIENCY
附加功能
HIGH RELIABILITY, PD-CASE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Single
速度
No Recovery Time > 500mA (Io)
二极管类型
碳化硅肖特基
反向泄漏电流@ Vr
2.1mA @ 650V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.8V @ 12A
箱体转运
CATHODE
工作温度 - 结点
-55°C~175°C
无卤素
无卤素
平均整流电流(Io)
12A DC
最大反向电压(DC)
650V
平均整流电流
12A
相位的数量
1
反向恢复时间
0ns
峰值反向电流
2.1mA
最大重复反向电压(Vrrm)
650V
电容@Vr, F
360pF @ 1V 1MHz
峰值非恢复性浪涌电流
97A
最大非代表Pk前进电流
83A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IDK12G65C5XTMA1拓展信息
Infineon Technologies
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