Infineon Technologies IDP04E120
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IDP04E120
1211-IDP04E120
二极管 - 整流器 - 单
TO-220-2
大陆
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DIODE GEN PURP 1.2KV 11.2A TO220
--最小包装量--
IDP04E120详情
Infineon Technologies IDP04E120重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-2
表面安装
NO
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
43.1W
包装
Tube
已出版
2009
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
应用
快速软恢复
HTS代码
8541.10.00.80
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
100μA @ 1200V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
2.15V @ 4A
箱体转运
CATHODE
正向电流
11.2A
最大反向漏电电流
100μA
工作温度 - 结点
-55°C~150°C
最大浪涌电流
28A
无卤素
无卤素
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
1200V
平均整流电流(Io)
11.2A DC
最大反向电压(DC)
1.2kV
平均整流电流
11.2A
相位的数量
1
反向恢复时间
115 ns
峰值反向电流
100μA
最大重复反向电压(Vrrm)
1.2kV
峰值非恢复性浪涌电流
28A
恢复时间
115 ns
RoHS状态
符合RoHS标准
IDP04E120拓展信息
Infineon Technologies
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