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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥84.486523
10
¥79.704269
100
¥75.192701
500
¥70.936514
1000
¥66.921236
Infineon Technologies IDW32G65C5BXKSA2
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- 对比
IDW32G65C5BXKSA2
1211-IDW32G65C5BXKSA2
二极管 - 整流器 - 单
TO-247-3
大陆
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DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO247-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IDW32G65C5BXKSA2详情
Infineon Technologies IDW32G65C5BXKSA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
表面安装
NO
Number of Elements
2
Operating Temperature (Max.)
175°C
Power Dissipation (Max)
188W
包装
Tube
系列
CoolSiC™+
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
应用
EFFICIENCY
附加功能
PD-CASE
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
速度
No Recovery Time > 500mA (Io)
二极管类型
碳化硅肖特基
反向泄漏电流@ Vr
200μA @ 650V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.7V @ 16A
箱体转运
CATHODE
工作温度 - 结点
-55°C~175°C
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
650V
平均整流电流(Io)
16A DC
相位的数量
1
反向恢复时间
0ns
Rep Pk反向电压-最大值
650V
电容@Vr, F
470pF @ 1V 1MHz
最大非代表Pk前进电流
74A
反向电流-最大值
200μA
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IDW32G65C5BXKSA2拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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