Infineon Technologies IMW120R350M1H
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IMW120R350M1H
1211-IMW120R350M1H
无类别的
PG-TO247-3
大陆
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N-Channel 1200V 4.7A(Tc) 5.7V @ 1mA 455mΩ @ 2A,18V 60W(Tc) PG-TO247-3 MOSFET RoHS
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IMW120R350M1H详情
Infineon Technologies IMW120R350M1H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
PG-TO247-3
包装
Tube-packed
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
455mΩ @ 2A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.7V @ 1mA
漏源电压 (Vdss)
1200V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
4.7A Tc
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
60W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IMW120R350M1H拓展信息







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