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Infineon Technologies IPB019N08N3 G
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IPB019N08N3 G
1211-IPB019N08N3 G
无类别的
PG-TO263-7
大陆
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IPB019N08N3 G详情
Infineon Technologies IPB019N08N3 G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
PG-TO263-7
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.9mOhm @ 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 270µA
漏源电压 (Vdss)
80V
25°C时的连续漏极电流（Id）。
180A
功率耗散-最大值（Ta=25°C）
300W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPB019N08N3 G拓展信息
公司资质
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