Infineon Technologies IPB024N10N5
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IPB024N10N5
1211-IPB024N10N5
无类别的
PG-TO263-7
大陆
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N-Channel 100V 180A(Tc) 3.8V @ 183uA 2.4mΩ @ 90A, 10V 50W(Tc) PG-TO263-7 MOSFET RoHS
--最小包装量--
IPB024N10N5详情
Infineon Technologies IPB024N10N5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-TO263-7
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.4mΩ @ 90A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.8V @ 183uA
漏源电压 (Vdss)
100V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
180A Tc
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
50W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPB024N10N5拓展信息







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