IPB033N10N5LF
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Infineon Technologies IPB033N10N5LF

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型号

IPB033N10N5LF

utmel 编号

1211-IPB033N10N5LF

商品类别

无类别的

封装

PG-TO263-3

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

N-Channel 100V 120A 4.1V @ 150?A 3.3mOhm @ 100A, 10V 179W (Tc) PG-TO263-3 MOSFET RoHS

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IPB033N10N5LF Infineon Technologies N-Channel 100V 120A 4.1V @ 150?A 3.3mOhm @ 100A, 10V 179W (Tc) PG-TO263-3 MOSFET RoHS

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IPB033N10N5LF详情

Infineon Technologies IPB033N10N5LF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    PG-TO263-3

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 场效应管类型

    N通道

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    3.3mOhm @ 100A, 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    100V

  • 25°C时的连续漏极电流(Id)。

    120A

  • 功率耗散-最大值(Ta=25°C)

    179W Tc

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

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IPB033N10N5LF拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS