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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥13.895753
10
¥13.109201
100
¥12.367171
500
¥11.667143
1000
¥11.006738
Infineon Technologies IPB072N15N3G
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IPB072N15N3G
1211-IPB072N15N3G
无类别的
PG-TO263-3
大陆
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MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPB072N15N3G详情
Infineon Technologies IPB072N15N3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-TO263-3
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.2mΩ @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 270uA
漏源电压 (Vdss)
150V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
100A Tc
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
300W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPB072N15N3G拓展信息






哦! 它是空的。