注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

价格梯度

内地含税价

1

￥7.536795
10

￥7.110184
100

￥6.707721
500

￥6.328039
1000

￥5.969847

Infineon Technologies IPB083N10N3G

Name: IPB083N10N3G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-IPB083N10N3G
Price: 7.54 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

IPB083N10N3G

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-IPB083N10N3G

商品类别

无类别的

封装

TO-263-2

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

起订量

--最小包装量--

单价:

￥

总价: ￥

添加到询价列表

IPB083N10N3G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

单价: $

合计: ￥

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

IPB083N10N3G详情

技术参数

PDF文档

Infineon Technologies IPB083N10N3G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

TO-263-2
包装

Tape & Reel (TR)
场效应管类型

N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs

8.3mΩ @ 73A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 75uA
漏源电压 (Vdss)

100V
25°C时的连续漏极电流（Id）。

80A Tc
功率耗散-最大值（Ta=25°C）

125W Tc
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

IPB083N10N3G拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z