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Infineon Technologies IPB107N20N3G
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IPB107N20N3G
1211-IPB107N20N3G
无类别的
TO-263-3
大陆
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MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
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IPB107N20N3G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
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IPB107N20N3G详情
Infineon Technologies IPB107N20N3G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
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包装/外壳
TO-263-3
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
10.7mΩ @ 88A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 270uA
漏源电压 (Vdss)
200V
25°C时的连续漏极电流（Id）。
88A Tc
功率耗散-最大值（Ta=25°C）
300W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
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IPB107N20N3G拓展信息
公司资质
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