IPB200N15N3 G
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Infineon Technologies IPB200N15N3 G

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型号

IPB200N15N3 G

utmel 编号

1211-IPB200N15N3 G

商品类别

无类别的

封装

TO-263-2

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

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IPB200N15N3 G详情

Infineon Technologies IPB200N15N3 G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    TO-263-2

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 场效应管类型

    N通道

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    20mΩ @ 50A,10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 90uA

  • 漏源电压 (Vdss)

    150V

  • 25°C时的连续漏极电流(Id)。

    50A Tc

  • 功率耗散-最大值(Ta=25°C)

    150W Tc

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

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IPB200N15N3 G拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS