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Infineon Technologies IPB60R099C6
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IPB60R099C6
1211-IPB60R099C6
无类别的
TO-263
大陆
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MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
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IPB60R099C6详情
Infineon Technologies IPB60R099C6重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
TO-263
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
99mΩ @ 18.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 1.21mA
漏源电压 (Vdss)
600V
25°C时的连续漏极电流（Id）。
37.9A Tc
功率耗散-最大值（Ta=25°C）
278W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPB60R099C6拓展信息
公司资质
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