IPB60R190C6
IPB60R190C6

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

价格梯度

内地含税价

  • 1

    ¥36.491612

  • 10

    ¥34.426051

  • 100

    ¥32.477401

  • 500

    ¥30.639062

  • 1000

    ¥28.904771

Infineon Technologies IPB60R190C6

  • 收藏
  • 对比

型号

IPB60R190C6

utmel 编号

1211-IPB60R190C6

商品类别

无类别的

封装

PG-TO263

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263

起订量

--最小包装量--

单价:

总价:

添加到询价列表
IPB60R190C6
IPB60R190C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263

单价: $

合计:

库存:2500

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

IPB60R190C6详情

Infineon Technologies IPB60R190C6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    PG-TO263

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 场效应管类型

    N通道

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    190mΩ @ 9.5A,10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3.5V @ 630uA

  • 漏源电压 (Vdss)

    600V

  • 25°C时的连续漏极电流(Id)。

    20.2A Tc

  • 功率耗散-最大值(Ta=25°C)

    151W Tc

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies IPB60R190C6.

IPB60R190C6拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS