Infineon Technologies IPB70N12S3-11
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IPB70N12S3-11
1211-IPB70N12S3-11
无类别的
PG-TO263-3
大陆
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N-Channel 120V 70A 4V @ 83?A 11.6mOhm @ 70A, 10V 125W (Tc) PG-TO263-3 MOSFET RoHS
1最小包装量--
IPB70N12S3-11详情
Infineon Technologies IPB70N12S3-11重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
PG-TO263-3
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
11.6mOhm @ 70A, 10V
漏源电压 (Vdss)
120V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
70A
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
125W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPB70N12S3-11拓展信息







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