注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥25.562438
10
¥24.115508
100
¥22.750477
500
¥21.462714
1000
¥20.247842
Infineon Technologies IPB80N06S2-09
- 收藏
- 对比
IPB80N06S2-09
1211-IPB80N06S2-09
无类别的
PG-TO263-3
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPB80N06S2-09详情
Infineon Technologies IPB80N06S2-09重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-TO263-3
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
9.1mOhm @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 125µA
漏源电压 (Vdss)
55V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
80A
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
190W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPB80N06S2-09拓展信息






哦! 它是空的。