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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥14.312274
10
¥13.502142
100
¥12.737871
500
¥12.016861
1000
¥11.336658
Infineon Technologies IPD053N06N
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- 对比
IPD053N06N
1211-IPD053N06N
无类别的
PG-TO252-3
大陆
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MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPD053N06N详情
Infineon Technologies IPD053N06N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-TO252-3
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.3mΩ @ 45A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 36uA
漏源电压 (Vdss)
60V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
18A
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
3W
RoHS状态
符合RoHS标准
IPD053N06N拓展信息






哦! 它是空的。