Infineon Technologies IPD060N03LG
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IPD060N03LG
1211-IPD060N03LG
无类别的
TO-252-2(DPAK)
大陆
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MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
1最小包装量--
IPD060N03LG详情
Infineon Technologies IPD060N03LG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-252-2(DPAK)
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
6mΩ @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250uA
漏源电压 (Vdss)
30V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
50A
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
56W
RoHS状态
符合RoHS标准
IPD060N03LG拓展信息







哦! 它是空的。