Infineon Technologies IPD100N04S4-02
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IPD100N04S4-02
1211-IPD100N04S4-02
无类别的
PG-TO252-3
大陆
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MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313
--最小包装量--
IPD100N04S4-02详情
Infineon Technologies IPD100N04S4-02重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-TO252-3
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
2mΩ @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 95uA
漏源电压 (Vdss)
40V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
100A Tc
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
150W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPD100N04S4-02拓展信息







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