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Infineon Technologies IPD100N06S4-03
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IPD100N06S4-03
1211-IPD100N06S4-03
无类别的
PG-TO252-3
大陆
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MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
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IPD100N06S4-03详情
Infineon Technologies IPD100N06S4-03重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
PG-TO252-3
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.5mΩ @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 90uA
漏源电压 (Vdss)
60V
25°C时的连续漏极电流（Id）。
100A Tc
功率耗散-最大值（Ta=25°C）
150W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPD100N06S4-03拓展信息
公司资质
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