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Infineon Technologies IPD30N08S2L-21
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IPD30N08S2L-21
1211-IPD30N08S2L-21
无类别的
PG-TO252-3
大陆
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Single N-Channel 75 V 20.5 mOhm 56 nC OptiMOS? Power Mosfet - TO-252-3-11
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IPD30N08S2L-21详情
Infineon Technologies IPD30N08S2L-21重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
PG-TO252-3
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
20.5mΩ @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 80uA
漏源电压 (Vdss)
75V
25°C时的连续漏极电流（Id）。
30A Tc
功率耗散-最大值（Ta=25°C）
136W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPD30N08S2L-21拓展信息
公司资质
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