Infineon Technologies IPD40DP06NM
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IPD40DP06NM
1211-IPD40DP06NM
无类别的
PG-TO252-3
大陆
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P-Channel -60V 4.3A(Tc) 4V @ 166uA 400mΩ @ 4.3A,10V 19W(Tc) PG-TO252-3 MOSFET RoHS
--最小包装量--
IPD40DP06NM详情
Infineon Technologies IPD40DP06NM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-TO252-3
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
P Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
400mΩ @ 4.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 166uA
漏源电压 (Vdss)
-60V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
4.3A Tc
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
19W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPD40DP06NM拓展信息







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