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￥5.293236
1000

￥4.993613

Infineon Technologies IPD60R1K0PFD7S

Name: IPD60R1K0PFD7S
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-IPD60R1K0PFD7S
Price: 6.3 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IPD60R1K0PFD7S

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-IPD60R1K0PFD7S

商品类别

无类别的

封装

PG-TO252-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

N-Channel 650V 8.8A(Tc) 4.5V @ 0.05mA 1Ω @ 1A,10V 26W(Tc) PG-TO252-3 MOSFET RoHS

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IPD60R1K0PFD7S Infineon Technologies N-Channel 650V 8.8A(Tc) 4.5V @ 0.05mA 1Ω @ 1A,10V 26W(Tc) PG-TO252-3 MOSFET RoHS

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IPD60R1K0PFD7S详情

技术参数

Infineon Technologies IPD60R1K0PFD7S重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

PG-TO252-3
包装

Tape & Reel (TR)
场效应管类型

N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs

1Ω @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 0.05mA
漏源电压 (Vdss)

650V
25°C时的连续漏极电流（Id）。

8.8A Tc
功率耗散-最大值（Ta=25°C）

26W Tc
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

IPD60R1K0PFD7S拓展信息

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