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Infineon Technologies IPD65R1K0CE

Name: IPD65R1K0CE
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-IPD65R1K0CE
Price: 6.53 USD
Availability: InStock
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对比

型号

IPD65R1K0CE

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-IPD65R1K0CE

商品类别

无类别的

封装

PG-TO252-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

N-Channel 650V 7.2A(Tc) 3.5V @ 200uA 1Ω @ 1.5A,10V 68W(Tc) PG-TO252-3 MOSFET RoHS

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IPD65R1K0CE Infineon Technologies N-Channel 650V 7.2A(Tc) 3.5V @ 200uA 1Ω @ 1.5A,10V 68W(Tc) PG-TO252-3 MOSFET RoHS

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IPD65R1K0CE详情

技术参数

Infineon Technologies IPD65R1K0CE重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

PG-TO252-3
包装

Tape & Reel (TR)
场效应管类型

N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs

1Ω @ 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 200uA
漏源电压 (Vdss)

650V
25°C时的连续漏极电流（Id）。

7.2A Tc
功率耗散-最大值（Ta=25°C）

68W Tc
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

IPD65R1K0CE拓展信息

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