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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.933747
10
¥8.428061
100
¥7.951003
500
¥7.500947
1000
¥7.076361
Infineon Technologies IPD65R1K4C6
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- 对比
IPD65R1K4C6
1211-IPD65R1K4C6
无类别的
PG-TO252-3
大陆
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MOSFET N-Ch 700V 3.2A DPAK-2
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPD65R1K4C6详情
Infineon Technologies IPD65R1K4C6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-TO252-3
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.4Ω @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 100uA
漏源电压 (Vdss)
650V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
3.2A Tc
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
28W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPD65R1K4C6拓展信息






哦! 它是空的。