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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.462889
10
¥4.210273
100
¥3.971956
500
¥3.747127
1000
¥3.535027
Infineon Technologies IPD65R400CE
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- 对比
IPD65R400CE
1211-IPD65R400CE
无类别的
PG-TO252-3
大陆
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N-Channel 650V 15.1A(Tc) 3.5V @ 320uA 400mΩ @ 3.2A,10V 118W(Tc) PG-TO252-3 MOSFET RoHS
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPD65R400CE详情
Infineon Technologies IPD65R400CE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-TO252-3
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
400mΩ @ 3.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 320uA
漏源电压 (Vdss)
650V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
15.1A Tc
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
118W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPD65R400CE拓展信息






哦! 它是空的。