注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥14.433374
10
¥13.616387
100
¥12.845651
500
¥12.118536
1000
¥11.432581
Infineon Technologies IPD65R600C6
- 收藏
- 对比
IPD65R600C6
1211-IPD65R600C6
无类别的
PG-TO252-3
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPD65R600C6详情
Infineon Technologies IPD65R600C6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-TO252-3
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
600mΩ @ 2.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 210uA
漏源电压 (Vdss)
650V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
7.3A Tc
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
63W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPD65R600C6拓展信息






哦! 它是空的。