Infineon Technologies IPD90R1K2C3
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IPD90R1K2C3
1211-IPD90R1K2C3
无类别的
PG-TO252-3
大陆
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MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
--最小包装量--
IPD90R1K2C3详情
Infineon Technologies IPD90R1K2C3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-TO252-3
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.2Ω @ 2.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 310uA
漏源电压 (Vdss)
900V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
5.1A Tc
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
83W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPD90R1K2C3拓展信息







哦! 它是空的。