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1

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10

￥50.897298
100

￥48.016315
500

￥45.298416
1000

￥42.73435

Infineon Technologies IPDD60R102G7

Name: IPDD60R102G7
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-IPDD60R102G7
Price: 53.95 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IPDD60R102G7

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-IPDD60R102G7

商品类别

无类别的

封装

PG-HDSOP-10

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

N-Channel 600V 23A(Tc) 4V @ 390uA 102mΩ @ 7.8A,10V 139W(Tc) PG-HDSOP-10 MOSFET RoHS

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IPDD60R102G7 Infineon Technologies N-Channel 600V 23A(Tc) 4V @ 390uA 102mΩ @ 7.8A,10V 139W(Tc) PG-HDSOP-10 MOSFET RoHS

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IPDD60R102G7详情

技术参数

Infineon Technologies IPDD60R102G7重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

PG-HDSOP-10
包装

Tape & Reel (TR)
场效应管类型

N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs

102mΩ @ 7.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 390uA
漏源电压 (Vdss)

600V
25°C时的连续漏极电流（Id）。

23A Tc
功率耗散-最大值（Ta=25°C）

139W Tc
RoHS状态

符合RoHS标准

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IPDD60R102G7拓展信息

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