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1

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10

￥41.059114
100

￥38.735018
500

￥36.542463
1000

￥34.474026

Infineon Technologies IPDD60R125G7

Name: IPDD60R125G7
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-IPDD60R125G7
Price: 43.52 USD
Availability: InStock
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对比

型号

IPDD60R125G7

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-IPDD60R125G7

商品类别

无类别的

封装

PG-HDSOP-10

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

N-Channel 600V 20A(Tc) 4V @ 320uA 125mΩ @ 6.4A, 10V 120W(Tc) PG-HDSOP-10 MOSFET RoHS

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IPDD60R125G7 Infineon Technologies N-Channel 600V 20A(Tc) 4V @ 320uA 125mΩ @ 6.4A, 10V 120W(Tc) PG-HDSOP-10 MOSFET RoHS

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IPDD60R125G7详情

技术参数

Infineon Technologies IPDD60R125G7重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

PG-HDSOP-10
包装

Tape & Reel (TR)
场效应管类型

N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs

125mΩ @ 6.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 320uA
漏源电压 (Vdss)

600V
25°C时的连续漏极电流（Id）。

20A Tc
功率耗散-最大值（Ta=25°C）

120W Tc
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

IPDD60R125G7拓展信息

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