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10

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500

￥30.045525
1000

￥28.344832

Infineon Technologies IPDD60R150G7

Name: IPDD60R150G7
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-IPDD60R150G7
Price: 35.78 USD
Availability: InStock
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对比

型号

IPDD60R150G7

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-IPDD60R150G7

商品类别

无类别的

封装

PG-HDSOP-10

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

N-Channel 600V 16A 4V @ 260uA 150mOhm @ 5.3A, 10V 95W (Tc) PG-HDSOP-10 MOSFET RoHS

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IPDD60R150G7 Infineon Technologies N-Channel 600V 16A 4V @ 260uA 150mOhm @ 5.3A, 10V 95W (Tc) PG-HDSOP-10 MOSFET RoHS

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IPDD60R150G7详情

技术参数

Infineon Technologies IPDD60R150G7重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

PG-HDSOP-10
包装

Tape & Reel (TR)
场效应管类型

N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs

150mOhm @ 5.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 260uA
漏源电压 (Vdss)

600V
25°C时的连续漏极电流（Id）。

16A
功率耗散-最大值（Ta=25°C）

95W Tc
RoHS状态

符合RoHS标准

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IPDD60R150G7拓展信息

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