Infineon Technologies IPG20N04S4L-08
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IPG20N04S4L-08
1211-IPG20N04S4L-08
无类别的
PG-TDSON-8
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Infineon IPG20N04S4L-08 Dual N-channel MOSFET Transistor, 20 A, 40 V, 8-Pin TDSON
--最小包装量--
IPG20N04S4L-08详情
Infineon Technologies IPG20N04S4L-08重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-TDSON-8
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
10.9mOhm @ 10A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 22µA
漏源电压 (Vdss)
40V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
20A
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
54W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPG20N04S4L-08拓展信息







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