Infineon Technologies IPG20N06S4L-14
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IPG20N06S4L-14
1211-IPG20N06S4L-14
无类别的
PG-TDSON-8
大陆
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DualN-Channel -60V 20A 2.2V @ 20uA 13.7mΩ @ 17A,10V 50W PG-TDSON-8 MOSFET RoHS
1最小包装量--
IPG20N06S4L-14详情
Infineon Technologies IPG20N06S4L-14重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-TDSON-8
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
2 N Channel(Double)
Rds On(Max)@Id,Vgs
13.7mΩ @ 17A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 20uA
漏源电压 (Vdss)
-60V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
20A
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
50W
RoHS状态
符合RoHS标准
IPG20N06S4L-14拓展信息







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