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Infineon Technologies IPG20N06S4L-26
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IPG20N06S4L-26
1211-IPG20N06S4L-26
无类别的
PG-TDSON-8-4
大陆
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Dual N-Channel 60 V 26 mOhm 15 nC OptiMOS? Power Mosfet - TDSON-8-4
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IPG20N06S4L-26详情
Infineon Technologies IPG20N06S4L-26重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
PG-TDSON-8-4
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
2 N Channel(Double)
Rds On(Max)@Id,Vgs
26mΩ @ 17A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 10uA
漏源电压 (Vdss)
60V
25°C时的连续漏极电流（Id）。
20A
功率耗散-最大值（Ta=25°C）
33W
RoHS状态
符合RoHS标准
IPG20N06S4L-26拓展信息
公司资质
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