Infineon Technologies IPG20N10S4-36A
- 收藏
- 对比
IPG20N10S4-36A
1211-IPG20N10S4-36A
无类别的
PG-TDSON-8
大陆
立即发货

DualN-Channel -100V 20A 3.5V @ 16uA 36mΩ @ 17A, 10V 43W PG-TDSON-8 MOSFET RoHS
1最小包装量--
IPG20N10S4-36A详情
Infineon Technologies IPG20N10S4-36A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-TDSON-8
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
2 N Channel(Double)
Rds On(Max)@Id,Vgs
36mΩ @ 17A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 16uA
漏源电压 (Vdss)
-100V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
20A
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
43W
RoHS状态
符合RoHS标准
IPG20N10S4-36A拓展信息







哦! 它是空的。