Infineon Technologies IPI600N25N3 G
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IPI600N25N3 G
1211-IPI600N25N3 G
无类别的
PG-TO262-3
大陆
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N-Channel 250V 25A(Tc) 4V @ 90uA 60mΩ @ 25A, 10V 136W(Tc) PG-TO262-3 MOSFET RoHS
1最小包装量--
IPI600N25N3 G详情
Infineon Technologies IPI600N25N3 G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-TO262-3
包装
Tube-packed
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
60mΩ @ 25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 90uA
漏源电压 (Vdss)
250V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
25A Tc
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
136W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPI600N25N3 G拓展信息







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