Infineon Technologies IPI65R380C6
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IPI65R380C6
1211-IPI65R380C6
无类别的
PG-TO262-3
大陆
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MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262
1最小包装量--
IPI65R380C6详情
Infineon Technologies IPI65R380C6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-TO262-3
包装
Tube-packed
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
380mOhm @ 3.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 320uA
漏源电压 (Vdss)
650V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
10.6A
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
83W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPI65R380C6拓展信息







哦! 它是空的。