Infineon Technologies IPI80N06S4L-07
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IPI80N06S4L-07
1211-IPI80N06S4L-07
无类别的
PG-TO262-3
大陆
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N-Channel 60V 80A(Tc) 2.2V @ 40uA 6.7mΩ @ 80A, 10V 79W(Tc) PG-TO262-3 MOSFET RoHS
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IPI80N06S4L-07详情
Infineon Technologies IPI80N06S4L-07重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
PG-TO262-3
包装
Tube-packed
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.7mΩ @ 80A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 40uA
漏源电压 (Vdss)
60V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
80A Tc
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
79W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPI80N06S4L-07拓展信息







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