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Infineon Technologies IPL65R099C7
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IPL65R099C7
1211-IPL65R099C7
无类别的
PG-VSON-4
大陆
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Single N-Channel 650 V 99 mOhm 45 nC CoolMOS? Power Mosfet - PG-VSON-4
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IPL65R099C7详情
Infineon Technologies IPL65R099C7重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-VSON-4
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
99mΩ @ 5.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 590uA
漏源电压 (Vdss)
650V
25°C时的连续漏极电流（Id）。
21A Tc
功率耗散-最大值（Ta=25°C）
128W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPL65R099C7拓展信息
公司资质
哦! 它是空的。