Infineon Technologies IPL65R190E6AUMA1938

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-PowerTSFN

供应商器件包装

PG-VSON-4-1

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20.2A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

151W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

CoolMOS E6™

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

190mOhm @ 7.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 700µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1620 pF @ 100 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

73 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

650 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-