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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥19.892138
10
¥18.766167
100
¥17.70393
500
¥16.701826
1000
¥15.756437
Infineon Technologies IPN60R2K1CE
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- 对比
IPN60R2K1CE
1211-IPN60R2K1CE
无类别的
PG-SOT223-3
大陆
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N-Channel 600V 3.7A(Tc) 3.5V @ 60uA 2.1Ω @ 800mA,10V 5W(Tc) PG-SOT223-3 MOSFET RoHS
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPN60R2K1CE详情
Infineon Technologies IPN60R2K1CE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-SOT223-3
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.1Ω @ 800mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 60uA
漏源电压 (Vdss)
600V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
3.7A Tc
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
5W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPN60R2K1CE拓展信息






哦! 它是空的。