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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.659988
10
¥4.396214
100
¥4.14737
500
¥3.912617
1000
¥3.691148
Infineon Technologies IPN70R2K1CE
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- 对比
IPN70R2K1CE
1211-IPN70R2K1CE
无类别的
PG-SOT223-3
大陆
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N-Channel 750V 4A(Tc) 3.5V @ 70uA 2.1Ω @ 1A, 10V 5W(Tc) PG-SOT223-3 MOSFET RoHS
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPN70R2K1CE详情
Infineon Technologies IPN70R2K1CE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-SOT223-3
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.1Ω @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 70uA
漏源电压 (Vdss)
750V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
4A Tc
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
5W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPN70R2K1CE拓展信息






哦! 它是空的。