Infineon Technologies IPP60R080P7
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IPP60R080P7
1211-IPP60R080P7
无类别的
PG-TO220-3
大陆
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N-Channel 650V 37A(Tc) 4V @ 590uA 80mΩ @ 11.8A, 10V 129W(Tc) PG-TO220-3 MOSFET RoHS
--最小包装量--
IPP60R080P7详情
Infineon Technologies IPP60R080P7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-TO220-3
包装
Tube-packed
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
80mΩ @ 11.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 590uA
漏源电压 (Vdss)
650V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
37A Tc
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
129W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPP60R080P7拓展信息







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