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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.968998
10
¥6.574529
100
¥6.202383
500
¥5.851307
1000
¥5.520102
Infineon Technologies IPS70R600P7S
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- 对比
IPS70R600P7S
1211-IPS70R600P7S
无类别的
PG-TO251-3
大陆
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N-Channel 700V 8.5A(Tc) 3.5V @ 90uA 600mΩ @ 1.8A,10V 43.1W (Tc) PG-TO251-3 MOSFET RoHS
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPS70R600P7S详情
Infineon Technologies IPS70R600P7S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-TO251-3
包装
Tube-packed
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
600mΩ @ 1.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 90uA
漏源电压 (Vdss)
700V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
8.5A Tc
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
43.1W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPS70R600P7S拓展信息






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